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英飞凌推出全新OptiMOS源极底置功率MOSFET 最高支持100V宽电压

2022-02-17 08:22:33 来源 : 中关村在线

高功率密度、出色的性能和易用性是当前电源系统设计的关键要求。为此,英飞凌推出了新一代OptiMOS源极底置(Source-Down,简称SD)功率MOSFET,为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。该功率MOSFET采用PQFN 封装,尺寸为3.3x3.3mm2,支持从25V到100V的宽电压范围。此种封装可实现更高的效率、更高的功率密度以及业内领先的热性能指标,并降低BOM成本,在功率MOSFET的性能方面树立了新的行业标杆。该器件的应用领域十分广泛,涵盖电机驱动,适用于服务器、电信和OR-ing的SMPS,以及电池管理系统等。

标签: 推出全新 OptiMOS源极 底置功率 100V宽电压

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